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論文

Plasmids in several strains of deinococcus radiodurans

菊地正博; 北山滋*; S.H.Sjarief*; 渡辺宏

Radiat. Res., 139, p.123 - 125, 1994/00

https://doi.org/10.2307/3578742

被引用回数：5 パーセンタイル：41.86(Biology)

Deinococcus radioduransは放射線抵抗性菌として知られている。その抵抗性は、DNA2本鎖切断を含めて、DNA損傷を効率よく修復できるからであることがわかっているが、遺伝子レベルでの解析は進んでいない。本研究では、ベクター構築のため、MR $_{1}$ 株・KR $_{1}$ 株・Sark株のプラスミドを分離し、制限酵素切断パターンを比較した。その結果、Sark株では、既知の2種のプラスミドの他に、87kbpのプラスミド(pDSK3)の存在が確認された。また、MR $_{1}$ 株では、既知のプラスミド(pS16)の他に、110kbpのプラスミド(pDMR2)の存在が確認された。KR $_{1}$ 株では、105kbpのプラスミドのみ確認された。しかしながら、これらの菌株に共通のプラスミドは見られなかった。これらのプラスミドは、この菌の放射線耐性遺伝子をクローニングするためのシャトルベクターの構築に有効であると考えられる。

論文

Inactivation action spectra of bacillus subtilis spores with monochromatic soft X-rays(0.1-0.6nm) of synchrotron radiation

宗像信生*; 檜枝光太郎*; 宇佐美徳子*; 横谷明徳; 小林克己*

Radiat. Res., 131(1), p.72 - 80, 1992/07

https://doi.org/10.2307/3578319

被引用回数：16 パーセンタイル：57.92(Biology)

0.10.6nmの単色シンクロトロン軟X線と枯草菌に真空中で照射し、致死作用を測定した。得られた線量効果曲線より致死作用断面積のスペクトルを得た。その結果、0.31nmと0.58nmに、ピークがあることがわかった。それぞれカルシウムとリンのK殻吸収端に相当するエネルギーであることから、細胞内のカルシウム及びリンが特異的に光吸収することにより、細胞の致死効率が高まることが推測された。リンは、細胞中DNAの構成元素であることから、リンの内殻吸収による特異的なDNA損傷の生成が考えられる。一方カルシウムはDNA中には含まれておらず、細胞質中のカルシウムの光吸収による致死作用機構の解明が今後待たれる。現在、光照射された細胞中DNAを細胞外に抽出し、突然変異を引きおこす遺伝子の変化を分子レベルで解析中である。

論文

Study on regeneration of activated carbon by means of electron radiation (in Chinese)

G.Zhu*; 新井英彦; 細野雅一

J. Radiat. Res. Radiat. Process., 9(1), p.54 - 58, 1991/02

廃水の吸着処理に用いた活性炭を電子線照射により再生する方法の検討を行った。資料には、モデル廃水(ウラリル硫酸ソーダ水溶液)を吸着処理した粒状活性炭を用いた。酸素、チッ素、水蒸気の各気流中で2MeVの電子線照射を行い、照射済炭の吸着性能を、よう素吸着性能から評価した。その結果、チッ素気流中照射が、吸着性能の回復に最も効果的であり、また、重量損失もほとんど起きないことが判明した。吸着性能の回復は、資料温度が高い程効果的であり、約210 $^{circ}$ Cに予熱した場合、約0.8MGyで、元の値の90%以上に吸着性能が回復することがわかった。

論文

Factors affecting the radiosensitivity of pseudomonas radiora 0-1 by N $_{2}$ O

渡辺宏; 飯塚廣*; 武久正昭

Radiat.Res., 89, p.325 - 333, 1982/00

https://doi.org/10.2307/3575778

被引用回数：18 パーセンタイル：69.56(Biology)

殺菌線量低減化の研究の過程で、N $_{2}$ OがP.radiora 0-1の放射線感受性を著しく増大し、その増感作用がOHラジカルとH $_{2}$ O $_{2}$ の協同作用によることをすでに報告した。今回は増感作用の性質を明らかにするため、増感に影響を及ぼす要因について検討した。N $_{2}$ Oによる増感は610 $^{7}$ cells/ml以上の細胞濃度で抑制された。希薄懸濁液中(10 $^{5}$ cells/ml)では1~12krad/minの範囲で、線量率効果は認められないが、10 $^{7}$ cells/ml濃度のものを0 $^{circ}$ Cで照射した場合には5krad/min以下で、線量率の低下につれて増感は抑制された。また20 $^{circ}$ Cで照射した場合には、さらに変い線量率でも増感は抑えられた。このようにN $_{2}$ Oによる増感作用は、細胞濃度、線量率、照射温度などによって影響される。これらの要因と細胞内カタラーゼとの相関を調べた結果、N $_{2}$ Oの増感を左右するこれらの要因が、カタラーゼ活性に依存することを明らかにした。

論文

Radiosensitization of pseudomonas radiora O-1 by N $_{2}$ O in aqueous suspension

渡辺宏; 飯塚廣*; 武久正昭

Radiat.Res., 88(3), p.577 - 586, 1981/00

https://doi.org/10.2307/3575646

被引用回数：27 パーセンタイル：77.49(Biology)

放射線抵抗性菌を低線量で殺菌することを目的とした殺菌線量低減化技術の開発の過程で、放射線抵抗性菌であるPs,radiora O-1がN $_{2}$ Oによって著しく増感されることを見出した。種々のアルコールやシステイン,蟻酸などを用いて、増感に関与するラジカルについて調べた結果、H原子は関与しないが、OHラジカルは増感に関係すること、またカタラーゼやパーオキシダーゼがN $_{2}$ Oの増感を抑制することから、H $_{2}$ O $_{2}$ も増感に関係していることが明らかとなった。H $_{2}$ O $_{2}$ だけでは死滅効果がなく、またどちらか一方が捕捉されても増感が抑えられることから、N $_{2}$ Oによる増感作用はOHラジカルとH $_{2}$ O $_{2}$ の協同作用によって起ると結論した。このような栄養細胞に対するN $_{2}$ Oの新しい増感機構はまだ報告されていないため、従来の増感機構と対比して考察した。

論文

Calculation of -ray absorbed dose rate for $^{1}$ $^{3}$ $^{1}$ I applied to the inflorescence

備後一義; 田野茂光*; 沼宮内弼雄; 吉田芳和; 山口彦之*

Radiat.Res., 85(3), p.592 - 596, 1981/00

https://doi.org/10.2307/3575428

被引用回数：5 パーセンタイル：88.24(Biology)

ムラサキツユクサの花序内に $^{1}$ $^{3}$ $^{1}$ Iを滴下すると、オシベ毛に体細胞突然変異が起る。 $^{1}$ $^{3}$ $^{1}$ Iの線による花序中のツボミの吸収線量の計算を実施した。体細胞突然変位の倍加線量は、 $^{1}$ $^{3}$ $^{1}$ Iがツボミ中に一様に分布すると仮定した場合、1radであった。また、ツボミの表面に一様に $^{1}$ $^{3}$ $^{1}$ Iが分布すると仮定した場合、ツボミが球状であるとすると0.38radであり、板状であるとしたときは0.07radであった。

論文

Self-focusing of a pulsed high-intensity electron beam in a low-pressure gas

新井英彦; 堀田寛*

Radiat.Res., 77(3), p.405 - 416, 1979/00

https://doi.org/10.2307/3575153

被引用回数：1

パルス電子線の集束度をビーム軸上に置いた線量計で測定すると、大体1Torr以下の低圧気体中では線量が気体圧に比例して増加する。この関係を、時間依存性をもつ空間電荷の中和因子を導入してシミレートした。この解析から、ある一定の線量を与える条件下では、Pion(E $_{b}$ )(P:気体圧、ion(E $_{b}$ ):エネルギーE $_{b}$ のビーム電子に対する気体の全イオン化断面積)は気体の種類に無関係に同一の値をとることを理論的に示した。この関係から求めた全イオン化断面積は文献値とよい一致をみせた。さらに、低圧で測定された深部線量分布曲線では表面線量が内部線量より高い場合が一般的であった。これは、ビーム電子が480keVの主成分の他に、低エネルギー成分をもつことを示している。

論文

The Dependence of self-focusing of a high-intensity pulsed electron beam on gaseous media as studied by depth-dose distributions, 3; Hydrocarbons and halogenomethanes

新井英彦; 堀田寛

Radiat.Res., 64(3), p.407 - 415, 1975/03

https://doi.org/10.2307/3574231

被引用回数：3

Febetron706からのパルス電子線の自己集束性をガス圧の関数として測定した。10Torr以下での低圧でのピンチから求めた全イオン化断面積はガスのモル電子分極に対応している。10~40Torrでのピンチの立上りより、二次電子とガスとの相互作用は次の順であると考えられる。CH $_{4}$ C $_{2}$ H $_{6}$ C $_{3}$ H $_{8}$ C $_{4}$ H $_{1}$ $_{0}$ C $_{5}$ H $_{1}$ $_{2}$ C $_{2}$ H $_{6}$ C $_{2}$ H $_{4}$ C $_{2}$ H $_{2}$ 、そしてCH $_{4}$ CH $_{3}$ FCHClF $_{2}$ CCl $_{2}$ F $_{2}$ 。

論文

Depth-dose distributions in an aluminum-blue-cellophane stack for a high-intensity pulsed electron beam in an atmosphere of helium

田中隆一; 須永博美; 堀田寛

Radiat.Res., 63(1), p.14 - 23, 1975/01

https://doi.org/10.2307/3574303

被引用回数：10

Febetron706からのパルス電子線のアルミニウム・ブルーセロファン積層中でのdepth-dose曲線を、雰囲気のヘリウム圧や積層線量計の位置を変化させて測定した。その結果わかったことは、ヘリウム中では10Torr付近と600Torr付近で電子線は自己集束し、その間の50Torr付近では著しく発散することである。そこで、0.01,10,50,655Torrで詳しく各種位置でのdepth-dose曲線の変化を測定し、各条件での線質の変化を検討した。

論文

The Dependence of self-focusing of a high-intensity pulsed electron beam on gaseous media as studied by depth-dose distributions, 1; Hydrogen and monatomic gases

堀田寛; 田中隆一; 須永博美; 新井英彦

Radiat.Res., 63(1), p.24 - 31, 1975/01

https://doi.org/10.2307/3574304

被引用回数：6

H $_{2}$ ,D $_{2}$ ,He,Ne,Ar,Kr,Xe中でFebetron706からのパルス電子線の自己集束性をアルミニウム-ブルーセロファン積層線量計を用いて研究した。その結果、10Torr以下でのピンチの起こる圧から気体の全イオン化断面積が求められた。20Torr以上で再び起るピンチは二次電子の再結合係数と関係していることがわかった。さらに高圧では一次電子線の多重散乱のため発散する。

論文

The Dependence of self-focusing of a high-intensity pulsed electron beam on gaseous media as studied by depth-dose distributions, 2; Inorganic polyatomic gases

堀田寛; 田中隆一; 新井英彦

Radiat.Res., 63(1), p.32 - 41, 1975/01

https://doi.org/10.2307/3574305

被引用回数：7

N $_{2}$ ,O $_{2}$ ,N $_{2}$ O,CO $_{2}$ ,SF $_{6}$ 中でFebetron706からのパルス電子線の自己集束性を研究した。10Torr以下の低圧ピンチの起こる圧から気体の全イオン化断面積が求められる。10~50Torrでのピンチの立上りの様相は二次電子と気体との相互作用、主として電子-イオン再結合反応で説明することができる。150Torr以上での一次電子線の挙動はこの自己集束作用の他に多重散乱を考慮して(+1)M/Aの関数として統一的に説明できる。